LSK170B Transistor, N-JFET, 40V, 10mA, 0,4W (TO92) facadebelysning Anvendes til befæstelse af kabler

Anvendes til befæstelse af kabler og rør

hvilket mindsker behovet for hyppige udskiftninger og dermed sparer tid og ressourcer i det daglige arbejde

hvor tydelig mærkning af jordforbindelser er nødvendig for at opretholde overensstemmelse med gældende sikkerhedsstandarder

et materiale kendt for sin modstandsdygtighed over for mange kemikalier og korrosion

5 cm er denne LED indsats kompatibel med eksisterende armaturer

LSK170B Transistor, N-JFET, 40V, 10mA, 0,4W (TO92) facadebelysning Anvendes til befæstelse af kablerLSK170B er en N kanal Junction Field Effect Transistor (N JFET) designet til applikationer med lav spnding og strm. Med en maksimal drain source spnding p 40V og en drain strm p op til 10mA, sikrer denne transistor en plidelig styring af signaler og strmme i elektroniske kredslb. Den effektbegrnsning p 0,4W gr den velegnet til lav effekt applikationer, hvor plads og varmeudvikling er kritiske faktorer. Prcis styring med N JFET teknologi LSK170B