S01000 - SEMI S10 - 風險評估及風險估算過程之安全基準 Revision:SEMI S10-0307 - Superseded 半導体のフリーキャリア密度がそれほど高くない場合，過剰キャリアの減衰時間は(以降は減衰時間と記述する)は禁制帯エネルギーギャップにそのエネルギーが位置する不純物により支配される。多くの金属不純物はシリコン中にそのような再結合中心を形成し，減衰時間を減少させ，ソーラーセルの効率に影響を与える。高効率セルの場合，所期の高性能デバイスを得るためには減衰特性を注意深く制御する必要がある。

半導体のフリーキャリア密度がそれほど高くない場合，過剰キャリアの減衰時間は(以降は減衰時間と記述する)は禁制帯エネルギーギャップにそのエネルギーが位置する不純物により支配される。多くの金属不純物はシリコン中にそのような再結合中心を形成し，減衰時間を減少させ，ソーラーセルの効率に影響を与える。高効率セルの場合，所期の高性能デバイスを得るためには減衰特性を注意深く制御する必要がある。

org August 1999

acetal resin

SEMI F90 — Specification for Dimension of Standard Size Two Port Components (Except MFC/MFM) for 1

The measurement is destructive because a specimen is prepared from a section of a silicon wafer

S01000 - SEMI S10 - 風險評估及風險估算過程之安全基準 Revision:SEMI S10-0307 - Superseded 半導体のフリーキャリア密度がそれほど高くない場合，過剰キャリアの減衰時間は(以降は減衰時間と記述する)は禁制帯エネルギーギャップにそのエネルギーが位置する不純物により支配される。多くの金属不純物はシリコン中にそのような再結合中心を形成し，減衰時間を減少させ，ソーラーセルの効率に影響を与える。高効率セルの場合，所期の高性能デバイスを得るためには減衰特性を注意深く制御する必要がある。EHS This safety guideline was technically approved by the global Environmental Health & Safety Committee. This edition was approved for publication by the global Audits & Reviews Subcommittee on November 21, 2006. It was available at www. semi. org in February 2007. Originally published December 1996; previously published November 2003. The purpose of this guideline is to establish general principles for risk assessment to enable identification of