P04700 - SEMI P47 - ラインエッジラフネス（Line Edge Roughness）およびライン幅ラフネス（Line Width Roughness）測定の試験方法 StdPbc-0218 orgで入手可能となる。前版は2012年4月発行。

orgで入手可能となる。前版は2012年4月発行。

The successor format was chartered with several overall goals:

26-84 (first published)

The source is normally a polarized laser beam in combination with a high-contrast prism polarizer

本試験方法は，一辺の長さが125ｍｍ以上で，厚さが100μm 以上の正方形および擬似正方形の太陽電池シリコンセルを対象とする。

P04700 - SEMI P47 - ラインエッジラフネス（Line Edge Roughness）およびライン幅ラフネス（Line Width Roughness）測定の試験方法 StdPbc-0218 orgで入手可能となる。前版は2012年4月発行。global Microlithography Committee20061121global Audits and Reviews Subcommittee20072www. semi. org20073CD ROM IC Referenced SEMI Standards SEMI P19 Specification for Metrology Pattern Cells for Integrated Circuit Manufacture SEMI P35 Terminology for Microlithography Metrology SEMI P36 Guideline of Magnification Reference for Critical Dimension Measurement Scanning Electron Microscopes